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首页 全部分类 TK14A65W,S5X vs STP24N65M2

TK14A65W,S5X备选型号: STP24N65M2

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  • 配置
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  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK14A65W,S5X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    6.000006g
    13.7A Ta
    3.5V @ 690μA
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    60 ns
    N-Channel
    250mOhm @ 6.9A, 10V
    1300pF @ 300V
    35nC @ 10V
    20ns
    650V
    ±30V
    7 ns
    13.7A
    30V
    650V
    1.3nF
    220mOhm
    250 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP24N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    -
    16A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    230m Ω @ 8A, 10V
    1060pF @ 100V
    29nC @ 10V
    -
    650V
    ±25V
    -
    16A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STP24N
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.23Ohm
    64A
    650V
    650 mJ
    无铅
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