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首页 全部分类 TK14N65W,S1F vs FCH190N65F-F155

TK14N65W,S1F备选型号: FCH190N65F-F155

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK14N65W,S1F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247
    38.000013g
    10V
    3.5V @ 690μA
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    60 ns
    N-Channel
    250mOhm @ 6.9A, 10V
    1300pF @ 300V
    35nC @ 10V
    20ns
    650V
    ±30V
    7 ns
    13.7A
    30V
    650V
    1.3nF
    220mOhm
    250 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH190N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlead
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    6.39g
    20.6A Tc
    5V @ 2mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1
    Single
    25 ns
    N-Channel
    190m Ω @ 10A, 10V
    3225pF @ 100V
    78nC @ 10V
    11ns
    650V
    ±20V
    4.2 ns
    20.6A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    yes
    3
    190mOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-247AB
    650V
    400 mJ
    not_compliant
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