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首页 全部分类 TK16A60W,S4VX vs FCPF190N60-F152

TK16A60W,S4VX备选型号: FCPF190N60-F152

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  • 漏源击穿电压
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  • 质量
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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 通道数量
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK16A60W,S4VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    15.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.35nF
    40W
    N-Channel
    190m Ω @ 7.9A, 10V
    3.7V @ 790μA
    1350pF @ 300V
    38nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    5 ns
    15.8A
    30V
    600V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF190N60-F152
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    20.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    199m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 250μA
    2950pF @ 25V
    74nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    5 ns
    20.2A
    30V
    600V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    3
    2.565008g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    1
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    20 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    60.6A
    400 mJ
    无
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