STF22NM60N
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STMicroelectronics STF22NM60N

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型号

STF22NM60N

utmel 编号

2381-STF22NM60N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STMICROELECTRONICS STF22NM60N Power MOSFET, N Channel, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

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STF22NM60N详情

STMicroelectronics STF22NM60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 制造商包装标识符

    TO-220FP-7012510

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    16A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    30W Tc

  • Turn Off Delay Time

    74 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ II

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 基本部件号

    STF22

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    30W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    11 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    220m Ω @ 8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1300pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    44nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    38 ns

  • 连续放电电流(ID)

    16A

  • 阈值电压

    3V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.22Ohm

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    64A

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    20mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

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