TK16A60W5,S4VX备选型号: STF27N60M2-EP

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电容量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    15.8A Ta
    3.7V @ 1.5mA
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.35nF
    Single
    40W
    N-Channel
    190m Ω @ 7.9A, 10V
    1350pF @ 300V
    43nC @ 10V
    ±30V
    15.8A
    600V
    超级交界处
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    20A Tc
    4.75V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2-EP
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    163m Ω @ 10A, 10V
    1320pF @ 100V
    33nC @ 10V
    ±25V
    20A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    未说明
    未说明
    STF27
    600V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STF24N60M2 STF24N60M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus 对比
STF24NM60N STF24NM60N STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP 对比
STF27N60M2-EP STF27N60M2-EP STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP 对比