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首页 全部分类 TK28N65W,S1F vs FCH110N65F-F155

TK28N65W,S1F备选型号: FCH110N65F-F155

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK28N65W,S1F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    TO-247
    27.6A Ta
    3.5V @ 1.6mA
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    110mOhm @ 13.8A, 10V
    3000pF @ 300V
    75nC @ 10V
    650V
    ±30V
    27.6A
    3nF
    110 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH110N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 650V 35A TO247
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    35A Tc
    5V @ 3.5mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    110m Ω @ 17.5A, 10V
    4895pF @ 100V
    145nC @ 10V
    -
    ±20V
    35A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6.39g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    110mOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    31 ns
    SWITCHING
    21ns
    5.7 ns
    TO-247AB
    30V
    650V
    809 mJ
    not_compliant
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