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TK28N65W,S1F备选型号: STW50N65DM2AG

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工厂交货时间
底架
安装类型
包装/外壳
供应商器件包装
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
操作温度
包装
系列
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
输入电容
最大rds
RoHS状态
ECCN 代码
峰值回流焊温度（摄氏度）
时间@峰值回流温度-最大值(s)
基本部件号

TK28N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

16 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
TO-247
27.6A Ta
3.5V @ 1.6mA
150°C TJ
Tube
DTMOSIV
2014
活跃
1 (Unlimited)
N-Channel
110mOhm @ 13.8A, 10V
3000pF @ 300V
75nC @ 10V
650V
±30V
27.6A
3nF
110 mΩ
符合RoHS标准
-
-
-
-
STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 28A

17 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
-
28A Tc
5V @ 250μA
-55°C~150°C TJ
Tube
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
-
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
1 (Unlimited)
N-Channel
87m Ω @ 19A, 10V
3200pF @ 100V
70nC @ 10V
650V
±25V
28A
-
-
ROHS3 Compliant
EAR99
未说明
未说明
STW50N
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