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首页 全部分类 TK31A60W,S4VX vs TK39A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX备选型号: TK39A60W,S4VX

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK31A60W,S4VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    30.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    3nF
    Single
    45W
    N-Channel
    88mOhm @ 15.4A, 10V
    3.7V @ 1.5mA
    3000pF @ 300V
    86nC @ 10V
    32ns
    600V
    ±30V
    8.5 ns
    30.8A
    30V
    600V
    3nF
    超级交界处
    73mOhm
    88 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK39A60W,S4VX
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    38.8A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    -
    N-Channel
    65m Ω @ 19.4A, 10V
    3.7V @ 1.9mA
    4100pF @ 300V
    110nC @ 10V
    50ns
    600V
    ±30V
    9 ns
    38.8A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    6.000006g
    SILICON
    3
    1
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    80 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.065Ohm
    600V
    608 mJ
    无
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