TK3A60DA(Q,M)备选型号: FDPF3N50NZ

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TOSHIBA TK3A60DA(Q,M) Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 2.4 V
    52 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    30W
    N-Channel
    2.8Ohm @ 1.3A, 10V
    4.4V @ 1mA
    380pF @ 25V
    9nC @ 10V
    600V
    ±30V
    2.5A
    2.4V
    380pF
    2.8Ohm
    2.8 Ω
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    27W
    N-Channel
    2.5 Ω @ 1.5A, 10V
    5V @ 250μA
    280pF @ 25V
    9nC @ 10V
    -
    ±25V
    3A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2.27g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    10 ns
    SWITCHING
    15ns
    17 ns
    TO-220AB
    25V
    3A
    500V
    10.16mm
    4.7mm
    15.87mm
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