TK3A60DA(Q,M)备选型号: FQPF3N60

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  • 工厂交货时间
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TOSHIBA TK3A60DA(Q,M) Power MOSFET, N Channel, 2.5 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 2.4 V
    52 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    30W
    N-Channel
    2.8Ohm @ 1.3A, 10V
    4.4V @ 1mA
    380pF @ 25V
    9nC @ 10V
    600V
    ±30V
    2.5A
    2.4V
    380pF
    2.8Ohm
    2.8 Ω
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    20 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    34W
    N-Channel
    3.6 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 250μA
    450pF @ 25V
    13nC @ 10V
    -
    ±30V
    2A
    5V
    -
    -
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    600V
    2A
    Single
    30ns
    30 ns
    30V
    600V
    无铅
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FQPF3N60 FQPF3N60 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F 对比