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首页 全部分类 TK4A60D(STA4,Q,M) vs FDPF5N50T

TK4A60D(STA4,Q,M)备选型号: FDPF5N50T

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK4A60D(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    4A Ta
    4.4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.7 Ω @ 2A, 10V
    600pF @ 25V
    12nC @ 10V
    18ns
    600V
    ±30V
    8 ns
    4A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF5N50T
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    5A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1.4 Ω @ 2.5A, 10V
    640pF @ 25V
    15nC @ 10V
    22ns
    -
    ±30V
    20 ns
    5A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    2.27g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    1.4Ohm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    28W
    ISOLATED
    13 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    5A
    500V
    20A
    225 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无铅
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