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首页 全部分类 TK50P04M1(T6RSS-Q) vs IPD50N04S308ATMA1

TK50P04M1(T6RSS-Q)备选型号: IPD50N04S308ATMA1

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  • 输入电容
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  • 辐射硬化
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK50P04M1(T6RSS-Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
    16 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    DP
    50A Ta
    2.3V @ 500μA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    U-MOSVI-H
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    Single
    60W
    29 ns
    N-Channel
    8.7mOhm @ 25A, 10V
    2600pF @ 10V
    38nC @ 10V
    22ns
    40V
    ±20V
    10 ns
    50A
    20V
    2.6nF
    3.8mOhm
    8.7 mΩ
    2.3mm
    10mm
    6.1mm
    无
    符合RoHS标准
    -
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  • Infineon Technologies
    IPD50N04S308ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    50A Tc
    4V @ 40μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    68W
    11 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 50A, 10V
    2350pF @ 25V
    35nC @ 10V
    7ns
    -
    ±20V
    6 ns
    50A
    20V
    -
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    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    无卤素
    40V
    0.0075Ohm
    200A
    not_compliant
    含铅
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