您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 TK5P50D(T6RSS-Q) vs FDD6N50FTM

TK5P50D(T6RSS-Q)备选型号: FDD6N50FTM

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK5P50D(T6RSS-Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    80W
    N-Channel
    1.5 Ω @ 2.5A, 10V
    4.4V @ 1mA
    490pF @ 25V
    11nC @ 10V
    18ns
    500V
    ±30V
    8 ns
    5A
    30V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6N50FTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    89W
    N-Channel
    1.15 Ω @ 2.75A, 10V
    5V @ 250μA
    960pF @ 25V
    19.8nC @ 10V
    28.3ns
    -
    ±30V
    20.5 ns
    5.5A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    260.37mg
    SILICON
    UniFET™
    e3
    yes
    2
    EAR99
    1.15Ohm
    Tin (Sn)
    鸥翼
    FDD6N50
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    SWITCHING
    TO-252AA
    500V
    22A
    270 mJ
    9.5 pF
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD6NK50ZT4 STD6NK50ZT4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET UNIFET2 500V 对比
FDD6N50FTM FDD6N50FTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK 对比