TK6A50D(STA4,Q,M)备选型号: FDPF5N50TYDTU

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    6A Ta
    4.4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    1.4Ohm @ 3A, 10V
    540pF @ 25V
    11nC @ 10V
    18ns
    500V
    ±30V
    8 ns
    6A
    30V
    540pF
    1.4 Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
    3
    -
    5A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    1.4 Ω @ 2.5A, 10V
    640pF @ 25V
    15nC @ 10V
    22ns
    500V
    ±30V
    20 ns
    5A
    30V
    -
    -
    符合RoHS标准
    2.565g
    Single
    13 ns
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