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首页 全部分类 TK7A90E,S4X vs FQPF7N65C

TK7A90E,S4X备选型号: FQPF7N65C

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK7A90E,S4X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    6.000006g
    7A Ta
    4V @ 700μA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    55 ns
    N-Channel
    2Ohm @ 3.5A, 10V
    1350pF @ 25V
    32nC @ 10V
    20ns
    900V
    ±30V
    15 ns
    7A
    30V
    1.35nF
    1.6Ohm
    2 Ω
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    FQPF7N65C
    ON Semiconductor
    MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    2.27g
    7A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    20 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 3.5A, 10V
    1245pF @ 25V
    36nC @ 10V
    50ns
    -
    ±30V
    55 ns
    7A
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    1.4Ohm
    快速切换
    650V
    未说明
    7A
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    52W
    ISOLATED
    SWITCHING
    4V
    TO-220AB
    7A
    650V
    28A
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无铅
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