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首页 全部分类 TK7J90E,S1E vs FQP9N90C

TK7J90E,S1E备选型号: FQP9N90C

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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK7J90E,S1E
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    TO-3P(N)
    6.961991g
    7A Ta
    4V @ 700μA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVIII
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    55 ns
    N-Channel
    2Ohm @ 3.5A, 10V
    1350pF @ 25V
    32nC @ 10V
    20ns
    900V
    ±30V
    15 ns
    7A
    30V
    900V
    1.35nF
    1.6Ohm
    2 Ω
    符合RoHS标准
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP9N90C
    ON Semiconductor
    MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    1.8g
    8A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2003
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    50 ns
    N-Channel
    1.4 Ω @ 4A, 10V
    2730pF @ 25V
    58nC @ 10V
    120ns
    -
    ±30V
    75 ns
    8A
    30V
    900V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    通孔
    EAR99
    1.4Ohm
    Tin (Sn)
    900V
    8A
    增强型MOSFET
    205W
    SWITCHING
    5V
    TO-220AB
    8A
    900V
    900 mJ
    5 V
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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