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首页 全部分类 TK7P65W,RQ vs STD11N65M2

TK7P65W,RQ备选型号: STD11N65M2

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK7P65W,RQ
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1
    3.5V @ 250μA
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DTMOSIV
    2015
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    800m Ω @ 3.4A, 10V
    490pF @ 300V
    15nC @ 10V
    650V
    ±30V
    6.8A
    0.8Ohm
    27.2A
    650V
    90 mJ
    unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD11N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    7A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    650V
    ±25V
    7A
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    3
    3.949996g
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD11
    9.5 ns
    7.5ns
    15 ns
    3V
    25V
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