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首页 全部分类 TK8A10K3,S5Q vs IRLI520NPBF

TK8A10K3,S5Q备选型号: IRLI520NPBF

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK8A10K3,S5Q
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS
    52 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    8A Ta
    4V @ 1mA
    2010
    150°C TJ
    Tube
    U-MOSIV
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    120mOhm @ 4A, 10V
    530pF @ 10V
    12.9nC @ 10V
    100V
    ±20V
    8A
    530pF
    120 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLI520NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    8.1A Tc
    2V @ 250μA
    2004
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    180m Ω @ 6A, 10V
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    -
    ±16V
    8.1A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    180MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    100V
    未说明
    8.1A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    27W
    ISOLATED
    40 ns
    SWITCHING
    35ns
    22 ns
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    100V
    85 mJ
    2kV
    2 V
    9.8mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无铅
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