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首页 全部分类 TK8A55DA(STA4,Q,M) vs FQPF9N50CT

TK8A55DA(STA4,Q,M)备选型号: FQPF9N50CT

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK8A55DA(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    TO-220SIS
    7.5A Ta
    4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    π-MOSVII
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    1.07Ohm @ 3.8A, 10V
    800pF @ 25V
    16nC @ 10V
    20ns
    550V
    ±30V
    12 ns
    7.5A
    30V
    800pF
    1.07 Ω
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N50CT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    9A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    800m Ω @ 4.5A, 10V
    1030pF @ 25V
    35nC @ 10V
    65ns
    -
    ±30V
    64 ns
    9A
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    2.27g
    500V
    9A
    Single
    44W
    500V
    无铅
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