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首页 全部分类 TK9A65W,S5X vs IPA65R380C6XKSA1

TK9A65W,S5X备选型号: IPA65R380C6XKSA1

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  • 引脚数
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK9A65W,S5X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    TO-220SIS
    3.5V @ 350μA
    9.3A Ta
    2015
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    500mOhm @ 4.6A, 10V
    700pF @ 300V
    20nC @ 10V
    650V
    ±30V
    9.3A
    700pF
    500 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R380C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    3.5V @ 320μA
    10.6A Tc
    2008
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    380m Ω @ 3.2A, 10V
    710pF @ 100V
    39nC @ 10V
    -
    ±20V
    10.6A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    12 ns
    SWITCHING
    无卤素
    11 ns
    TO-220AB
    20V
    650V
    29A
    215 mJ
    无铅
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