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TLE2082ACD备选型号: TLE2082IDR

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  • 工作电源电流
  • 电源电流
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  • 电压 - 电源，单/双路（±）
  • 每个通道的输出电流
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  • 增益带宽积
  • 负电源电压(Vsup)
  • 统一增益 BW-（标准值）
  • 电压增益
  • 平均偏置电流-最大值 (IIB)
  • 低偏移
  • 频率补偿
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  • 低偏压
  • 微功率
  • 最大偏置电流 (IIB) @25C
  • 可编程电源
  • 双电源电压
  • 标称增益带宽积
  • 最大I/O电压
  • 输入失调电流-最大值(IIO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 终端
  • 包装方式
  • 带宽
  • 电源电压限制-最大值
  • 最大负电源电压(Vsup)
  • Texas Instruments
    TLE2082ACD
    Texas Instruments
    IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    0°C~70°C
    Excalibur™
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    5V
    TLE2082
    8
    +-5/+-15V
    2
    3.1mA
    3.9mA
    725mW
    48mA
    45V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    70 dB
    20pA
    4.5V~38V ±2.25V~19V
    48mA
    4mV
    10MHz
    -5V
    10000 kHz
    106dB
    0.000175μA
    NO
    YES
    700μV
    YES
    NO
    0.000175μA
    NO
    9V
    9.4MHz
    4mV
    0.00035μA
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    TLE2082IDR
    Texas Instruments
    IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Excalibur™
    Cut Tape (CT)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    5V
    TLE2082
    8
    +-5/+-15V
    2
    3.1mA
    3.9mA
    725mW
    48mA
    45V/μs
    VOLTAGE-FEEDBACK
    J-FET
    70 dB
    20pA
    4.5V~38V ±2.25V~19V
    48mA
    7mV
    10MHz
    -5V
    10000 kHz
    106dB
    0.000175μA
    NO
    YES
    1.1mV
    YES
    NO
    0.000175μA
    NO
    -
    9.4MHz
    7mV
    0.00095μA
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    SMD/SMT
    TR
    9.4MHz
    19V
    -19V
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