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TN0604N3-G-P005备选型号: ZVN4310A
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 引脚数
- 制造商包装标识符
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,40V,0.75 Ohm3 TO-92T/R6 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)453.59237mgSILICON700mA Tj-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)3EAR99高输入阻抗BOTTOMO-PBCY-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING750m Ω @ 1.5A, 10V1.6V @ 1mA190pF @ 20V40V±20V700mA0.7A0.75Ohm40V50 pFROHS3 Compliant---------------------------- MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-317 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)453.59237mgSILICON900mA Ta-55°C~150°C TJBulk1997活跃1 (Unlimited)3EAR99-BOTTOM--1增强型MOSFETN-Channel-500m Ω @ 3A, 10V3V @ 1mA350pF @ 25V-±20V900mA0.9A---ROHS3 Compliant3E-Linee3no500mOhmMatte Tin (Sn)100VWIRE260900mA403Single850mW8 ns25ns25 ns3V20V100V150°C6.51mm4.77mm2.41mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZVP4424A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 | 对比 |
| ZVN4206A | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3 | 对比 |
 | SSN1N45BTA | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 | 对比 |
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