ON Semiconductor SSN1N45BTA
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SSN1N45BTA
1807-SSN1N45BTA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
--最小包装量--
SSN1N45BTA详情
ON Semiconductor SSN1N45BTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
30 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
900mW Ta
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
450V
端子位置
BOTTOM
额定电流
500mA
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
900mW
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.25 Ω @ 250mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
240pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.5nC @ 10V
上升时间
21ns
Vgs(最大值)
±50V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
500mA
栅极至源极电压(Vgs)
50V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
漏源击穿电压
450V
反馈上限-最大值 (Crss)
8.5 pF
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SSN1N45BTA拓展信息
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