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首页 全部分类 TN2130K1-G vs 1HP04CH-TL-W

TN2130K1-G备选型号: 1HP04CH-TL-W

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Microchip Technology
    TN2130K1-G
    Microchip Technology
    Trans MOSFET N-CH 300V 0.085A 3-Pin SOT-23
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    1.437803g
    SILICON
    85mA Tj
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360mW
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25 Ω @ 120mA, 4.5V
    2.4V @ 1mA
    50pF @ 25V
    7ns
    ±20V
    7 ns
    85mA
    20V
    0.085A
    300V
    5 pF
    950μm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    1HP04CH-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    SILICON
    170mA Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e6
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    1
    -
    增强型MOSFET
    -
    21 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    18 Ω @ 80mA, 10V
    2.6V @ 100μA
    14pF @ 20V
    18ns
    ±20V
    81 ns
    170mA
    20V
    -
    -100V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    Tin
    yes
    600mW
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    0.9nC @ 10V
    100V
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