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首页 全部分类 TPS1100D vs IRF7329PBF

TPS1100D备选型号: IRF7329PBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • 行间距
  • 元素配置
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    TPS1100D
    Texas Instruments
    P CHANNEL MOSFET, -15V, 1.6A, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    1.6A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    180mOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
    -15V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -1.6A
    TPS1100
    8
    -15V
    1.6A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    791mW
    4.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 10V
    1.5V @ 250μA
    5.45nC @ 10V
    10ns
    15V
    +2V, -15V
    10 ns
    -1.6A
    2V
    -15V
    -1.25 V
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7329PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    17MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -12V
    -
    鸥翼
    -
    -9.2A
    IRF7329PBF
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    10 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17m Ω @ 9.2A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    57nC @ 4.5V
    8.6ns
    12V
    -
    260 ns
    -9.2A
    8V
    -12V
    -900 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    2004
    2W
    6.3 mm
    Dual
    3450pF @ 10V
    -900mV
    -12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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IRF7329PBF IRF7329PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 对比