Infineon Technologies IRF7329PBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.2A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

340 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

17MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-12V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

-9.2A

基本部件号

IRF7329PBF

行间距

6.3 mm

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 9.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3450pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 4.5V

上升时间

8.6ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

260 ns

连续放电电流(ID)

-9.2A

阈值电压

-900mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-12V

双电源电压

-12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-900 mV

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅