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首页 全部分类 TPS1100PWR vs PMGD130UN,115

TPS1100PWR备选型号: PMGD130UN,115

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 功率 - 最大
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    TPS1100PWR
    Texas Instruments
    Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET 8-TSSOP
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    SILICON
    1.27A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
    -15V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -1.27mA
    TPS1100
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    504mW
    4.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 10V
    1.5V @ 250μA
    5.45nC @ 10V
    10ns
    15V
    +2V, -15V
    10 ns
    1.27A
    2V
    0.4Ohm
    -15V
    1.2mm
    3mm
    4.4mm
    1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD130UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
    -
    -
    -
    -
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    1.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    145m Ω @ 1.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1.3nC @ 4.5V
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2012
    390mW
    83pF @ 10V
    逻辑电平门
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PMGD130UN,115 PMGD130UN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP 对比