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首页 全部分类 TPS28225D vs TPS28226DRBT

TPS28225D备选型号: TPS28226DRBT

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  • 闸门类型
  • 高边驱动器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子间距
  • 频率
  • Texas Instruments
    TPS28225D
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    72.603129mg
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.25W
    4.5V~8.8V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    7.2V
    TPS28225
    8
    2
    33.3V
    4A
    7.2V
    500μA
    Single
    1.25W
    6A
    14 ns
    Non-Inverting
    14 ns
    10ns
    10 ns
    10ns 10ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Synchronous
    6A
    N-Channel MOSFET
    YES
    33V
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Texas Instruments
    TPS28226DRBT
    Texas Instruments
    IC SINK SYNC MOSFET DVR 4A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    24.012046mg
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.58W
    6.8V~8.8V
    DUAL
    -
    260
    1
    7.2V
    TPS28226
    8
    2
    -
    4A
    7.2V
    -
    Single
    2.58W
    6A
    14 ns
    Non-Inverting
    14 ns
    10ns
    10 ns
    10ns 10ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Synchronous
    6A
    N-Channel MOSFET
    YES
    33V
    1mm
    3mm
    3mm
    880μm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    0.65mm
    2MHz
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