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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.632281
10
¥20.407813
100
¥19.252652
500
¥18.162883
1000
¥17.134794
Texas Instruments TPS28226DRBT
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- 对比
TPS28226DRBT
2502-TPS28226DRBT
PMIC - 栅极驱动器
8-VDFN Exposed Pad
大陆
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IC SINK SYNC MOSFET DVR 4A 8SON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TPS28226DRBT详情
Texas Instruments TPS28226DRBT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
质量
24.012046mg
Driver Configuration
Half-Bridge
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
2.58W
电压 - 供电
6.8V~8.8V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
7.2V
端子间距
0.65mm
频率
2MHz
基本部件号
TPS28226
引脚数量
8
输出的数量
2
最大输出电流
4A
工作电源电压
7.2V
元素配置
Single
功率耗散
2.58W
输出电流
6A
传播延迟
14 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
14 ns
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
10 ns
上升/下降时间(Typ)
10ns 10ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Synchronous
输出峰值电流限制-名
6A
闸门类型
N-Channel MOSFET
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
33V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
3mm
器件厚度
880μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TPS28226DRBT拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments







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