TPS51604DSGT备选型号: TPS28225DRBT
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 最大电流源
- 输出的数量
- 输出电压
- 最大输出电流
- 电源
- 工作电源电流
- 输出电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 高边驱动器
- 长度
- 高度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- Current - Supply (Nom)
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 元素配置
- 功率耗散
- 高压侧电压-最大值(自举)
- IC MOSFET DRVR SYNC 8WSON6 WeeksACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8-WFDFN Exposed Pad表面贴装表面贴装810.886217mg0.6V 2.65VTape & Reel (TR)-40°C~105°C TJe4yes活跃2 (1 Year)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)4.5V~5.5VDUAL26015V0.5mmTPS51604600μA134V4A5V600μA4A40 nsNon-Inverting40 ns15ns8 ns30ns 8nsPUSH-PULL BASED MOSFET DRIVERSynchronous24AN-Channel MOSFETYES2mm800μm2mm750μmROHS3 Compliant无无SVHC无铅-------
- IC SYNC MOSFET DVR 4A 8SON6 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8-VDFN Exposed Pad表面贴装表面贴装824.012046mgHalf-BridgeTape & Reel (TR)-40°C~125°C TJe4yes活跃2 (1 Year)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)4.5V~8.8VDUAL26017.2V0.65mmTPS28225-2-4A--6A14 nsNon-Inverting14 ns10ns10 ns10ns 10ns基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器Synchronous-6AN-Channel MOSFETYES3mm1mm3mm880μmROHS3 Compliant无无SVHC无铅500μA2.58W87.2VSingle2.58W33V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPS28225DR | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC SYNC MOSFET DVR 4A 8-SOIC | 对比 |
![]() | TPS28225DRBT | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 8-VDFN Exposed Pad | IC SYNC MOSFET DVR 4A 8SON | 对比 |





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