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首页 全部分类 TPS51604QDSGTQ1 vs TPS51604DSGT

TPS51604QDSGTQ1备选型号: TPS51604DSGT

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  • 引脚数
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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
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  • 输入类型
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  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 输出电压
  • 电源
  • 工作电源电流
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 驱动器数量
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    TPS51604QDSGTQ1
    Texas Instruments
    MOSFET DRVR 4A 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin WSON T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-WFDFN Exposed Pad
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4.5V~5.5V
    DUAL
    无铅
    260
    1
    5V
    0.5mm
    未说明
    TPS51604
    2
    4A
    600μA
    Non-Inverting
    30ns 8ns
    PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
    Synchronous
    10 μs
    4A
    N-Channel MOSFET
    YES
    15 μs
    35V
    800μm
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    TPS51604DSGT
    Texas Instruments
    IC MOSFET DRVR SYNC 8WSON
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-WFDFN Exposed Pad
    8
    Half-Bridge
    -40°C~105°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    8
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4.5V~5.5V
    DUAL
    -
    260
    1
    5V
    0.5mm
    -
    TPS51604
    1
    4A
    600μA
    Non-Inverting
    30ns 8ns
    PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
    Synchronous
    -
    4A
    N-Channel MOSFET
    YES
    -
    -
    800μm
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10.886217mg
    EAR99
    34V
    5V
    600μA
    4A
    40 ns
    40 ns
    15ns
    8 ns
    2
    无SVHC
    无
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