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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥74.660385
10
¥70.434329
100
¥66.447477
500
¥62.686301
1000
¥59.138021
Texas Instruments TPS51604QDSGTQ1
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- 对比
TPS51604QDSGTQ1
2502-TPS51604QDSGTQ1
PMIC - 栅极驱动器
8-WFDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET DRVR 4A 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin WSON T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TPS51604QDSGTQ1详情
Texas Instruments TPS51604QDSGTQ1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-WFDFN Exposed Pad
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.6V 2.65V
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
TPS51604
输出的数量
2
最大输出电流
4A
最大电源电流
600μA
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
30ns 8ns
接口IC类型
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
信道型
Synchronous
接通时间
10 μs
输出峰值电流限制-名
4A
闸门类型
N-Channel MOSFET
高边驱动器
YES
关断时间
15 μs
高压侧电压-最大值(自举)
35V
高度
800μm
长度
2mm
宽度
2mm
器件厚度
750μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TPS51604QDSGTQ1拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments







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