TRF1115IRGPR备选型号: HMC605LP3ETR
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- 包装
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 结构
- 频率
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源
- 工作电源电流
- 功率耗散
- 增益
- 射频/微波器件类型
- 特性阻抗
- 搅拌机的数量
- 可调谐的局部振荡器
- 马克斯噪声图
- 功率增益
- 输入功率-MIN(CW)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- ECCN 代码
- 功能数量
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- 射频类型
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- P1dB
- IC MIXER 2.5GHZ DOWN CONV 20QFN表面贴装20-VFQFN Exposed PadYES20Tape & Reel (TR)e3yesObsolete3 (168 Hours)20Matte Tin (Sn)85°C-40°C1.1W5V~5.25VCOMPONENT2.5GHzTRF11155V5V180mA1.1W20dBDOWN CONVERTER50Ohm1YES7 dB18dB5dBm无ROHS3 Compliant含铅----------
- NA ONLY -HMC605 Series 2.3 - 2.7 GHz Low Noise Amplifier with Bypass - QFN-16表面贴装16-VFQFN Exposed PadYES16Cut Tape (CT)-noObsolete1 (Unlimited)16-100°C-40°C1.03mW3V 5V-2.3GHz~2.7GHzHMC6055V-74mA-20dB窄带低功耗-------ROHS3 Compliant含铅OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)57.09594mgEAR99116190mAWiMAX / WiBro1.1dB17dBm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HMC605LP3ETR | Analog Devices Inc. | 射频放大器 | 16-VFQFN Exposed Pad | NA ONLY -HMC605 Series 2.3 - 2.7 GHz Low Noise Amplifier with Bypass - QFN-16 | 对比 |
![]() | CC2595RGTT | Texas Instruments | category.RF Front End (LNA PA) | 16-VFQFN Exposed Pad | 2.4GHz RF Front End 16-Pin QFN T/R | 对比 |
![]() | MMG3004NT1 | NXP USA Inc. | 射频放大器 | 16-PowerQFN | RF TRANSISTOR, PQFN | 对比 |






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