TRF1216IRGPR备选型号: SST12LP08-QXBE
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- 描述:
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 结构
- 频率
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源
- 工作电源电流
- 功率耗散
- 射频/微波器件类型
- 特性阻抗
- 噪声图
- 搅拌机的数量
- 可调谐的局部振荡器
- 下变频增益-最小值
- 功率增益
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 引脚数
- 已出版
- 附加功能
- 功能数量
- 通道数量
- 测试频率
- 电源电流
- 射频类型
- 输入功率-最大(CW)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IC MIXER 3.3-3.8GHZ DWN 20QFNYES20-VFQFN Exposed Pad表面贴装Tape & Reel (TR)e3yesDiscontinued3 (168 Hours)20Matte Tin (Sn)85°C-40°C1.1W5V~5.5VCOMPONENT3.3GHz~3.8GHzTRF12165V5V200mA1.1WDOWN CONVERTER50Ohm2.5dB1YES27 dB33dBROHS3 Compliant无含铅-------------
- MICROCHIP - SST12LP08-QXBE - IC, RF IC, 20 dB, 2.4GHz to 2.5GHz, QFN-16, FULL REELYES12-XFQFN Exposed Pad表面贴装Tape & Reel (TR)e3yes活跃2 (1 Year)12Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°C-3V~3.6VCOMPONENT2.4GHz~2.5GHz-3.3V-200mA-窄带中功率50Ohm----30dBROHS3 Compliant无无铅122000HIGH RELIABILITY112.4GHz200mA802.11b/g/n5dBm450μm2mm2mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HMC755LP4ETR | Analog Devices Inc. | 射频放大器 | 24-VFQFN Exposed Pad | NA ONLY -HMC755 Series 2.3 - 2.8 Ghz 1 Watt SMT Power Amplifier - QFN-24 | 对比 |
![]() | SST12LP08-QXBE | Microchip Technology | 射频放大器 | 12-XFQFN Exposed Pad | MICROCHIP - SST12LP08-QXBE - IC, RF IC, 20 dB, 2.4GHz to 2.5GHz, QFN-16, FULL REEL | 对比 |
![]() | AFIC901NT1 | NXP USA Inc. | 射频放大器 | 24-VFQFN Exposed Pad | RF Amplifier BL RF | 对比 |






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