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首页 全部分类 TRS8E65C,S1Q vs STPSC1006D

TRS8E65C,S1Q备选型号: STPSC1006D

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  • 平均整流电流
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  • RoHS状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 应用
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 相位的数量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRS8E65C,S1Q
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 650V 90uA 1.70V IF 8A
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    TO-220-2L
    6.000006g
    175°C
    -55°C
    Tube
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    90μA @ 650V
    1.7V @ 8A
    8A
    175°C Max
    650V
    8A DC
    1.7V
    650V
    8A
    0ns
    90μA
    650V
    44pF @ 650V 1MHz
    40A
    40A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STPSC1006D
    STMicroelectronics
    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    -
    -
    175°C
    -40°C
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    碳化硅肖特基
    300μA @ 600V
    1.75V @ 10A
    10A
    -40°C~175°C
    -
    -
    1.7V
    600V
    10A
    0 s
    150nA
    600V
    650pF @ 0V 1MHz
    160A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    1
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    POWER
    8541.10.00.80
    STPSC1006
    150μA
    40A
    1
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无铅
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