TRS8E65C,S1Q
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Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q

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型号

TRS8E65C,S1Q

utmel 编号

2541-TRS8E65C,S1Q

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

TO-220-2

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 650V 90uA 1.70V IF 8A

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TRS8E65C,S1Q
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 650V 90uA 1.70V IF 8A

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TRS8E65C,S1Q详情

Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-2

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    TO-220-2L

  • 质量

    6.000006g

  • Operating Temperature (Max)

    175°C

  • Operating Temperature (Min)

    -55°C

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    No Recovery Time > 500mA (Io)

  • 二极管类型

    碳化硅肖特基

  • 反向泄漏电流@ Vr

    90μA @ 650V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7V @ 8A

  • 正向电流

    8A

  • 工作温度 - 结点

    175°C Max

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    650V

  • 平均整流电流(Io)

    8A DC

  • 正向电压

    1.7V

  • 最大反向电压(DC)

    650V

  • 平均整流电流

    8A

  • 反向恢复时间

    0ns

  • 峰值反向电流

    90μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    650V

  • 电容@Vr, F

    44pF @ 650V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    40A

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    40A

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & TRS8E65C,S1Q相似的参数规格。

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