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首页 全部分类 TS3DDR32611ZQCR vs CBTL08GP053EVY

TS3DDR32611ZQCR备选型号: CBTL08GP053EVY

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  • 无铅
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  • 已出版
  • 终止次数
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • -3db 带宽
  • 通态电阻（最大值）
  • 消费者集成电路类型
  • 电压 - 电源，单路（V±）
  • 座位高度(最大)
  • Texas Instruments
    TS3DDR32611ZQCR
    Texas Instruments
    IC DDR TERMINATION REG 48BGA
    表面贴装
    表面贴装
    48-VFBGA
    48
    333.900683mg
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    e1
    yes
    Obsolete
    2 (1 Year)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    Converter, PCDDR3
    8542.39.00.01
    BOTTOM
    BALL
    260
    TS3DDR32611
    26
    3.6V
    3V
    SPST
    150μA
    0.6V~1.75V
    0.22mA
    150μA
    NO
    1mm
    4mm
    4mm
    740μm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    CBTL08GP053EVY
    NXP USA Inc.
    USB Type-C High performance Crossbar Switch IC 40-Pin VF-BGA T/R
    -
    表面贴装
    40-VFBGA
    -
    -
    -40°C~105°C TA
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    USB
    -
    BOTTOM
    BALL
    260
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.75mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    18 Weeks
    YES
    2015
    40
    1
    0.5mm
    未说明
    R-PBGA-B40
    3.6V
    8.5GHz
    10Ohm
    消费电路
    1.8V
    0.99mm
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