TSM109AID备选型号: LM293DR2G

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 基本部件号
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 表面安装
  • 已出版
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  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 输出类型
  • 电源
  • 功率耗散
  • 最大电源电流
  • 无卤素
  • 最大输入电流
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    IC COMPARATOR/VREF DUAL 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -40°C~105°C
    Tube
    e4
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    带电压基准
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    鸥翼
    2
    5V
    TSM109
    8
    28V
    1mA
    20mA
    2.5mA
    1.3 μs
    2V~36V ±1V~18V
    1μA
    5mV
    106.02dB
    0.4μA
    36V
    9V
    25nA
    5mV @ 5V
    0.25μA @ 5V
    20mA @ 5V
    1.65mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IC COMP DUAL OFFSET LV 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -25°C~85°C
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    通用型
    -
    DUAL
    鸥翼
    2
    5V
    LM293
    8
    28V
    1mA
    16mA
    2.5mA
    1.3 μs
    2V~36V ±1V~18V
    100pA
    5mV
    106.02dB
    0.4μA
    36V
    9V
    250nA
    5mV @ 30V
    0.25μA @ 5V
    16mA @ 5V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    11 Weeks
    Tin
    YES
    2006
    yes
    570mW
    260
    40
    CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL
    5V
    570mW
    1mA
    无卤素
    250nA
    无SVHC
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