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首页 全部分类 TT8J21TR vs EMH2801-TL-H

TT8J21TR备选型号: EMH2801-TL-H

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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    TT8J21TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    10 Weeks
    Copper, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    280MOhm
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    650mW
    260
    10
    *J21
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.25W
    9 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    68m Ω @ 2.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    1270pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    30ns
    20V
    30 ns
    2.5A
    10V
    20V
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    EMH2801-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3A EMH8
    24 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    -
    3A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    1W
    7.1 ns
    P-Channel
    -
    85m Ω @ 1.5A, 4.5V
    -
    320pF @ 10V
    4nC @ 4.5V
    21ns
    -
    32 ns
    3A
    10V
    20V
    -
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Single
    无卤素
    ±10V
    750μm
    2mm
    1.7mm
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