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首页 全部分类 TT8K2TR vs NTGD4169FT1G

TT8K2TR备选型号: NTGD4169FT1G

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 资历状况
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    TT8K2TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铜
    1.25W
    260
    10
    *K2
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.25W
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.5A, 4.5V
    1.5V @ 1mA
    180pF @ 10V
    3.2nC @ 4.5V
    30ns
    30V
    20 ns
    2.5A
    12V
    0.13Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGD4169FT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2.6A Ta
    -25°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    900mW
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.6A, 4.5V
    -
    295pF @ 15V
    5.5nC @ 4.5V
    4ns
    -
    4 ns
    2.6A
    12V
    0.09Ohm
    30V
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    1.5V @ 250μA
    DUAL
    鸥翼
    不合格
    Single
    ±12V
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