UCC27424DG4备选型号: UCC27425D

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 最大电源电流
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 输出特性
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 输出极性
  • 输入特性
  • 接口IC类型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 包装
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 终端
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 基本部件号
  • 输出电压
  • 电源
  • 输入类型
  • 最大输出电压
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
    表面贴装
    SOIC
    8
    72.603129mg
    650mW
    e4
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    105°C
    -40°C
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    14V
    8
    2
    4A
    INDUSTRIAL
    15V
    4V
    1.8mA
    650mW
    1.8mA
    4A
    150 ns
    150 ns
    TOTEM-POLE
    40ns
    40 ns
    TRUE
    STANDARD
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    0.04 µs
    4A
    NO
    0.05 µs
    1.58mm
    4.9mm
    3.91mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    72.603129mg
    Low-Side
    e4
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    14V
    8
    2
    4A
    -
    -
    -
    1.6mA
    650mW
    1.6mA
    4A
    150 ns
    150 ns
    TOTEM-POLE
    40ns
    40 ns
    真倒
    -
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    0.04 µs
    4A
    NO
    0.05 µs
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    -40°C~125°C TA
    Tube
    yes
    活跃
    SMD/SMT
    650mW
    4V~15V
    UCC27425
    330mV
    4.5/15V
    Inverting, Non-Inverting
    450mV
    20ns 15ns
    Independent
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    4A 4A
    1.58mm
    无SVHC
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