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首页 全部分类 UCC27512DRSR vs UCC27511DBVT

UCC27512DRSR备选型号: UCC27511DBVT

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  • 关断时间
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 质量
  • 终端形式
  • 工作电源电流
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    UCC27512DRSR
    Texas Instruments
    IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6WSON
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6-WDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    6
    4A
    1V 2.4V
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~140°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4.5V~18V
    DUAL
    260
    1
    12V
    0.95mm
    UCC27512
    6
    1
    8A
    12V
    8A
    30 ns
    Inverting, Non-Inverting
    30 ns
    22ns
    11 ns
    真倒
    8ns 7ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.03 µs
    8A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    4A 8A
    NO
    0.03 µs
    3mm
    3mm
    800μm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    UCC27511DBVT
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS - UCC27511DBVT - MOSFET Driver Low Side, 4.5V-18V supply, 8A peak out, 5 Ohm output, SOT-23-6
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    SOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -
    Low-Side
    Cut Tape (CT)
    -40°C~140°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    4.5V~18V
    DUAL
    260
    1
    12V
    0.95mm
    UCC27511
    6
    1
    8A
    12V
    8A
    30 ns
    Inverting, Non-Inverting
    30 ns
    22ns
    11 ns
    真倒
    8ns 7ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.03 µs
    8A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    4A 8A
    NO
    0.03 µs
    1.6mm
    2.9mm
    1.45mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    36.003894mg
    鸥翼
    100μA
    无SVHC
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