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UCC37322DR备选型号: UCC27322D

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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 输出电压
  • 工作电源电流
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    UCC37322DR
    Texas Instruments
    IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    72.603129mg
    Low-Side
    0°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    650mW
    4V~15V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    14V
    UCC37322
    8
    1
    9A
    1mA
    650mW
    9A
    1mA
    70 ns
    Non-Inverting
    70 ns
    TOTEM-POLE
    70ns
    30 ns
    TRUE
    20ns 20ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.07 µs
    9A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    9A 9A
    NO
    0.07 µs
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    UCC27322D
    Texas Instruments
    IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    72.603129mg
    Low-Side
    -40°C~105°C TA
    Tube
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    650mW
    4V~15V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    14V
    UCC27322
    8
    1
    9A
    -
    650mW
    9A
    1mA
    70 ns
    Non-Inverting
    70 ns
    TOTEM-POLE
    70ns
    30 ns
    -
    20ns 20ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    0.07 µs
    9A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    9A 9A
    NO
    0.07 µs
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150mV
    1mA
    无SVHC
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