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ULN2002A备选型号: ULN2004AN

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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • VCEsat-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
  • HTS代码
  • JEDEC-95代码
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 器件厚度
  • STMicroelectronics
    ULN2002A
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS ULN2002A Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    Gold
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    16
    1.627801g
    SILICON
    7
    1.1V
    -40°C~85°C TA
    Tube
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    逻辑电平兼容
    50V
    DUAL
    500mA
    ULN2002
    16
    50V
    NPN
    COMPLEX
    7
    SWITCHING
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    1000 @ 350mA 2V
    50μA
    1.6V @ 500μA, 350mA
    1.6 V
    7.1mm
    20mm
    4.59mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    ULN2004AN
    Texas Instruments
    DARLINGTON ARRAY 7NPN, 2004, DIP16 - More Details
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    Gold
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    16
    951.693491mg
    SILICON
    50V
    1.1V
    -20°C~70°C TA
    Tube
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    逻辑电平兼容
    50V
    DUAL
    500mA
    ULN2004
    16
    50V
    NPN
    COMPLEX
    -
    SWITCHING
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    -
    50μA
    1.6V @ 500μA, 350mA
    1.6 V
    6.35mm
    19.3mm
    5.08mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    Automotive, AEC-Q100
    8541.29.00.95
    MS-001BB
    50V
    3.9mm
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