ULN2002AS16-13备选型号: PBLS2001S,115
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- 最大击穿电压
- 连续集电极电流
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 转换频率
- 频率转换
- 最大耗散功率(Abs)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO25 Weeks表面贴装表面贴装16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)1616-SO200.686274mg50V-40°C~105°C TATape & Reel (TR)2002活跃1 (Unlimited)105°C-40°C7 NPN Darlington1.6V500μA50μA1.6V @ 500μA, 350mA50V50V500mAROHS3 Compliant----------------------------
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO--表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)---150°C-Tape & Reel (TR)2009Obsolete1 (Unlimited)--1 NPN Pre-Biased, 1 PNP--1μA 100nA150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A50V 20V--ROHS3 CompliantYESSILICONe48EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18541.21.00.95DUAL鸥翼未说明未说明PBLS20018R-PDSO-G8不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR1.5WSWITCHINGNPN和PNP30 @ 20mA 5V / 150 @ 2A 2V100MHz100MHz1.5W2.2k Ω2.2k Ω205ns41ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFU725F/N1,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | SOT-343 Reverse Pinning | TRANSISTOR NPN 40MA SOT343 | 对比 |
![]() | PBLS2001S,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO | 对比 |
![]() | ULN2004AS16-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Darlington Transistors High Volt Darlington 7Drivers 500mA 250ns | 对比 |






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