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首页 全部分类 UM6J1NTN vs DMN63D8LV-7

UM6J1NTN备选型号: DMN63D8LV-7

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    UM6J1NTN
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150mW
    鸥翼
    260
    10
    *J1
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 200mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    30pF @ 10V
    5ns
    30V
    40 ns
    200mA
    20V
    0.2A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN63D8LV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2007
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    450mW
    FLAT
    260
    30
    DMN63D8L
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 250mA, 10V
    1.5V @ 250μA
    22pF @ 25V
    3.2ns
    30V
    6.3 ns
    260mA
    20V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HIGH RELIABILITY
    AEC-Q101
    Dual
    450mW
    0.87nC @ 10V
    1.5V
    4.5Ohm
    30V
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
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