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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.804568
10
¥0.759026
100
¥0.716063
500
¥0.675531
1000
¥0.637294
Diodes Incorporated DMP32D4SW-7
- 收藏
- 对比
DMP32D4SW-7
671-DMP32D4SW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP32D4SW-7详情
Diodes Incorporated DMP32D4SW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
250mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300mW Ta
Turn Off Delay Time
31.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
9.86 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
51.16pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.2nC @ 10V
上升时间
11.5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
21.9 ns
连续放电电流(ID)
250mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.25A
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP32D4SW-7拓展信息
Diodes Incorporated
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