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首页 全部分类 US5U38TR vs BSD235NH6327XTSA1

US5U38TR备选型号: BSD235NH6327XTSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ROHM Semiconductor
    US5U38TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
    12 Weeks
    表面贴装
    5
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    800MOhm
    锡铜
    150°C
    -55°C
    700mW
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    Single
    增强型MOSFET
    700mW
    9 ns
    SWITCHING
    8ns
    20V
    P-CHANNEL
    8 ns
    1A
    12V
    1A
    20V
    150pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    390mOhm
    390 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD235NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    6
    2
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    500mW
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    3.8 ns
    -
    3.6ns
    -
    -
    -
    950mA
    12V
    0.95A
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    yes
    雪崩 额定
    BSD235
    AEC-Q101
    2 N-Channel (Dual)
    350m Ω @ 950mA, 4.5V
    1.2V @ 1.6μA
    无卤素
    63pF @ 10V
    0.32nC @ 4.5V
    700mV
    20V
    0.35Ohm
    150°C
    逻辑电平门
    1mm
    2mm
    1.25mm
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PMR290XN,115 PMR290XN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-75, SOT-416 MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 对比