Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

4.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

500mW

终端形式

鸥翼

基本部件号

BSD235

参考标准

AEC-Q101

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

3.8 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 950mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1.6μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

63pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.32nC @ 4.5V

上升时间

3.6ns

连续放电电流(ID)

950mA

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.95A

漏极-源极导通最大电阻

0.35Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅