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首页 全部分类 US6M11TR vs DMN1150UFB-7B

US6M11TR备选型号: DMN1150UFB-7B

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    US6M11TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    1.5A 1.3A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    600MOhm
    锡铜
    1W
    DUAL
    260
    10
    *M11
    6
    2
    增强型MOSFET
    8 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    110pF @ 10V
    1.8nC @ 4.5V
    10ns
    20V 12V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    9 ns
    1.3A
    10V
    1.5A
    -12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN1150UFB-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    SILICON
    1.41A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e4
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    BOTTOM
    260
    30
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    4.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 1A, 4.5V
    1V @ 250μA
    106pF @ 10V
    1.5nC @ 4.5V
    34.5ns
    -
    -
    30 ns
    1.41A
    6V
    -
    12V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HIGH RELIABILITY
    Single
    DRAIN
    ±6V
    480μm
    1.08mm
    675μm
    无SVHC
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